Yksikiteinen safiiri on materiaali, jolla on korkea kovuus, erinomainen kemiallinen stabiilius ja optinen läpinäkyvyys laajalla aallonpituusalueella. Näiden etujen ansiosta sitä käytetään laajalti useilla eri teollisuudenaloilla, kuten terveydenhuollossa, konepajateollisuudessa, sotilastarvikkeissa, ilmailussa ja optiikassa.
Suuriläpimittaisten safiirien yksittäiskiteiden kasvattamiseen käytetään pääasiassa Kyropoulos (Ky) ja Czochralski (Cz) -menetelmiä. Cz-menetelmä on laajalti käytetty yksittäiskiteiden kasvatustekniikka, jossa alumiinioksidi sulatetaan upokkaassa ja siemen vedetään ylös; siementä pyöritetään samanaikaisesti sen jälkeen, kun se on kosketuksissa sulan metallin pintaan, ja Ky-menetelmää käytetään pääasiassa suuriläpimittaisten safiirien yksittäiskiteiden kasvattamiseen. Vaikka sen peruskasvatusuuni on samanlainen kuin Cz-menetelmä, siemenkide ei pyöri kosketuksen jälkeen sulaan alumiinioksidiin, vaan lämmittimen lämpötila laskee hitaasti, jotta yksikide voi kasvaa alaspäin siemenkiteestä. Safiirijuunissa voidaan käyttää korkean lämpötilan kestäviä tuotteita, kuten volframiupokasta, molybdeeniupokasta, volframi-molybdeeni-lämpösuojaa, volframilämmityselementtiä ja muita erikoismuotoisia volframi-molybdeenituotteita.
